Luận án Tiến sĩ Vật lý kỹ thuật: Nghiên cứu mô phỏng và công nghệ chế tạo transistor có độ linh động điện tử cao dựa trên GaN

Luận án Tiến sĩ Vật lý kỹ thuật "Nghiên cứu mô phỏng và công nghệ chế tạo transistor có độ linh động điện tử cao dựa trên GaN" trình bày các nội dung chính sau: Tổng quan về vật liệu bán dẫn GaN và linh kiện GaN HEMT; Mô phỏng vật liệu GaN và linh kiện GaN HEMT; Nghiên cứu công nghệ chế tạo linh kiện HEMT; Nghiên cứu chế tạo cấu trúc MOS - HEMT sử dụng lớp điện môi high-k.