Tóm tắt Luận án Tiến sĩ Vật lý kỹ thuật: Nghiên cứu mô phỏng và công nghệ chế tạo transistor có độ linh động điện tử cao dựa trên GaN

Tóm tắt Luận án Tiến sĩ Vật lý kỹ thuật "Nghiên cứu mô phỏng và công nghệ chế tạo transistor có độ linh động điện tử cao dựa trên GaN" được nghiên cứu với mục tiêu: Tìm hiểu tổng quan về vật liệu GaN và linh kiện bán dẫn GaN HEMT; Thiết kế và tối ưu hóa cấu trúc linh kiện; Nghiên cứu và phát triển công nghệ chế tạo màng vật liệu high-k cho cấu trúc MOS HEMT.